Infineon N-Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-9025
- Producentens varenummer:
- IRLB3036PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.054,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.318,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) afsendes fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 21,094 | Kr. 1.054,70 |
| 100 - 200 | Kr. 16,244 | Kr. 812,20 |
| 250 + | Kr. 15,187 | Kr. 759,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-9025
- Producentens varenummer:
- IRLB3036PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 270A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 91nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 270A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.02mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 270 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRLB3036PBF
Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til omskiftning med høj strømstyrke og lavt tab i industrielle miljøer. Det er en N-kanal-forbedringsenhed i en TO-220-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til anvendelser, der kræver en betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og robust termisk modstandsdygtighed over et bredt omgivende område.
Egenskaber og fordele:
• Meget lav modstand ved tænding 2 mΩ for reducerede ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm 270 A til håndtering af tunge belastninger
• 380 W maks. effekttab til kobling med høj effekt
• 60 V drain-source mærkespænding til systemer med moderat spænding
• Typisk gate-ladning 91 nC, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm 270 A til håndtering af tunge belastninger
• 380 W maks. effekttab til kobling med høj effekt
• 60 V drain-source mærkespænding til systemer med moderat spænding
• Typisk gate-ladning 91 nC, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
Anvendelser
• Velegnet til motordrevstrin i industrielt udstyr
• Ideel til strømforsyninger og DC-DC-konvertere
• Anvendes med højstrømsskiftning i batteristyring
• Kan bruges til inverterudgangstrin i mellemspændingssystemer
• Ideel til strømforsyninger og DC-DC-konvertere
• Anvendes med højstrømsskiftning i batteristyring
• Kan bruges til inverterudgangstrin i mellemspændingssystemer
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes?
Enheden må ikke overstige ±16 V mellem gate og kilde for at undgå gate-oxidbelastning.
Hvordan påvirker det termiske område implementeringen?
Den fungerer over -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug under barske termiske forhold og høje forbindelsesscenarier.
Hvad er den fremadgående ledningsegenskaber, når husdioden leder?
Den fremadrettede spænding er typisk 1,3 V under diodeledning, hvilket påvirker tabsberegninger i synkrone eller frie hjulintervaller.
Hvilke husholdnings- og monteringshensyn gælder for varmeafledning?
Den leveres i et TO-220-format med gennemgående hul, der letter direkte montering af kølelegeme for forbedret termisk styring.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 79 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET