Toshiba N-Kanal, MOSFET, 27,6 A 650 V, 3 ben, TO-220, DTMOSIV TK28E65W,S1X(S
- RS-varenummer:
- 125-0560
- Producentens varenummer:
- TK28E65W,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 2)
Kr. 26,145
(ekskl. moms)
Kr. 32,681
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 2 - 8 | Kr. 26,145 | Kr. 52,29 |
| 10 - 18 | Kr. 19,11 | Kr. 38,22 |
| 20 - 48 | Kr. 18,665 | Kr. 37,33 |
| 50 - 98 | Kr. 18,10 | Kr. 36,20 |
| 100 + | Kr. 17,765 | Kr. 35,53 |
- RS-varenummer:
- 125-0560
- Producentens varenummer:
- TK28E65W,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- JP
Generel produktinformation
MOSFET, N-kanal, TK2x serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 27,6 A |
| Drain source spænding maks. | 650 V |
| Kapslingstype | TO-220 |
| Serie | DTMOSIV |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 110 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 3.5V |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.5V |
| Effektafsættelse maks. | 230 W |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Bredde | 4.45mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 75 nC ved 10 V |
| Længde | 10.16mm |
| Transistormateriale | Si |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Højde | 15.1mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.7V |
- RS-varenummer:
- 125-0560
- Producentens varenummer:
- TK28E65W,S1X(S
- Brand:
- Toshiba