Toshiba N-Kanal, MOSFET, 4,5 A 600 V, 3 ben, TO-220SIS, DTMOSIV TK5A60W5,S5VX(M

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

4,5 A

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-220SIS

Serie

DTMOSIV

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

950 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

30 W

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Bredde

4.5mm

Længde

10mm

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

11,5 nC ved 10 V

Gennemgangsspænding for diode

1.7V

Højde

15mm