Toshiba N-Kanal, MOSFET, 15,8 A 600 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK16A60W5,S4VX(M

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

15,8 A

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-220SIS

Serie

TK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

230 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.7V

Effektafsættelse maks.

40 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

43 nC ved 10 V

Længde

10mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

4.5mm

Antal elementer per chip

1

Højde

15mm