Toshiba N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK17A65W,S5X(M
- RS-varenummer:
- 168-7961
- Producentens varenummer:
- TK17A65W,S5X(M
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.003,05
(ekskl. moms)
Kr. 1.253,80
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 20,061 | Kr. 1.003,05 |
| 250 - 450 | Kr. 19,545 | Kr. 977,25 |
| 500 + | Kr. 19,058 | Kr. 952,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7961
- Producentens varenummer:
- TK17A65W,S5X(M
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 17 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | TO-220SIS | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 200 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 3.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 45 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Bredde | 4.5mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 10mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 45 nC ved 10 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 15mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 17 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype TO-220SIS | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 200 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 3.5V | ||
Effektafsættelse maks. 45 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Bredde 4.5mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 10mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 45 nC ved 10 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 15mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 11.1 A 650 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba N-Kanal 8 A 600 V TO-220SISS4VX(M
- Toshiba N-Kanal 20 A 600 V TO-220SISS5VX(M
- Toshiba N-Kanal 15 3 ben TK TK16A60W5,S4VX(M
- Toshiba N-Kanal 72 A 80 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 35 A 650 V TO-247S1F(S
- Toshiba N-Kanal 6 A 650 V SC-67X,M)
- Toshiba N-Kanal 4 3 ben DTMOSIV TK5A60W5,S5VX(M