Toshiba N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK17A65W,S5X(M

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

17 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

TO-220SIS

Serie

TK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

200 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.5V

Effektafsættelse maks.

45 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Bredde

4.5mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

45 nC ved 10 V

Transistormateriale

Si

Længde

10mm

Højde

15mm