Toshiba N-Kanal, MOSFET, 61,8 A 600 V, 3 ben, TO-247, DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S
- RS-varenummer:
- 125-0586
- Producentens varenummer:
- TK62N60X,S1F(S
- Brand:
- Toshiba
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 69,41
(ekskl. moms)
Kr. 86,76
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 69,41 |
| 5 - 9 | Kr. 59,17 |
| 10 - 24 | Kr. 54,16 |
| 25 - 49 | Kr. 53,48 |
| 50 + | Kr. 52,73 |
- RS-varenummer:
- 125-0586
- Producentens varenummer:
- TK62N60X,S1F(S
- Brand:
- Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- JP
Generel produktinformation
MOSFET N-kanal, TK6- og TK7-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 61,8 A |
| Drain source spænding maks. | 600 V |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Serie | DTMOSIV-H |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 40 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 3.5V |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.5V |
| Effektafsættelse maks. | 400 W |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V |
| Transistormateriale | Si |
| Bredde | 5.02mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 135 nC ved 10 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Længde | 15.94mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.7V |
| Højde | 20.95mm |
- RS-varenummer:
- 125-0586
- Producentens varenummer:
- TK62N60X,S1F(S
- Brand:
- Toshiba