Infineon N-Kanal, MOSFET, 8,4 A 650 V, 3 ben, DPAK (TO-252), CoolMOS™ CE IPD60R800CEAUMA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-0902
Producentens varenummer:
IPD60R800CEAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

8,4 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

DPAK (TO-252)

Serie

CoolMOS™ CE

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

800 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.5V

Mindste tærskelspænding for port

2.5V

Effektafsættelse maks.

74 W

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Bredde

6.22mm

Længde

6.73mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

17,2 nC ved 10 V

Højde

2.41mm

Driftstemperatur min.

-40 °C

Gennemgangsspænding for diode

0.9V

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET



MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links