Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 550 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 130-0911
- Producentens varenummer:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 71,05
(ekskl. moms)
Kr. 88,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.075 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,842 | Kr. 71,05 |
| 250 - 600 | Kr. 2,13 | Kr. 53,25 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,993 | Kr. 49,83 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,849 | Kr. 46,23 |
| 2500 + | Kr. 1,421 | Kr. 35,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0911
- Producentens varenummer:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 550V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.7mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 550V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.7mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4.8 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.6 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 3 A 700 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 700 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A 550 V Forbedring TO-252, CoolMOS CE