Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4.8 A 550 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, CoolMOS CE

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 63,325

(ekskl. moms)

Kr. 79,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.425 enhed(er) afsendes fra 16. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 2,533Kr. 63,33
250 - 600Kr. 1,903Kr. 47,58
625 - 1225Kr. 1,777Kr. 44,43
1250 - 2475Kr. 1,646Kr. 41,15
2500 +Kr. 1,266Kr. 31,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-0911
Producentens varenummer:
IPN50R1K4CEATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.8A

Drain source spænding maks. Vds

550V

Emballagetype

SOT-223

Serie

CoolMOS CE

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.4Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.2nC

Gennemgangsspænding Vf

0.83V

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.7mm

Længde

6.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links