Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0993
- Producentens varenummer:
- IRFS3006TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 42,94
(ekskl. moms)
Kr. 53,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 182 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 21,47 | Kr. 42,94 |
| 10 - 18 | Kr. 18,665 | Kr. 37,33 |
| 20 - 48 | Kr. 17,355 | Kr. 34,71 |
| 50 - 98 | Kr. 16,305 | Kr. 32,61 |
| 100 + | Kr. 15,035 | Kr. 30,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0993
- Producentens varenummer:
- IRFS3006TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 293A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 293A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 293 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 293 A 60 V Forbedring TO-263, IPF
- Infineon Type N MOSFET 3 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 300 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET