Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRLS3036TRL7PP
- RS-varenummer:
- 130-1026
- Producentens varenummer:
- IRLS3036TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 41,77
(ekskl. moms)
Kr. 52,212
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 9.758 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 20,885 | Kr. 41,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-1026
- Producentens varenummer:
- IRLS3036TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.65mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 300 A 60 V D2PAK-7, HEXFET IRLS3036TRL7PP
- Infineon N-Kanal 240 A 7 ben HEXFET AUIRLS3036-7P
- Infineon N-Kanal 293 A 60 V D2PAK-7, HEXFET IRFS3006TRL7PP
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V HEXFET IRFS4321TRLPBF
- Infineon N-Kanal 195 A 60 V HEXFET IRFS7530TRLPBF
- Infineon N-Kanal 190 A 100 V D2PAK-7, HEXFET IRLS4030TRL7PP
- Infineon N-Kanal 478 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC209
- Infineon N-Kanal 269 A 75 V D2PAK-7, HEXFET IRFS7730TRL7PP
