Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Forbedring, 8 Ben, VSON, NexFET Nej CSD19502Q5BT
- RS-varenummer:
- 133-0154
- Producentens varenummer:
- CSD19502Q5BT
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 37,10
(ekskl. moms)
Kr. 46,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 18,55 | Kr. 37,10 |
| 10 - 18 | Kr. 17,655 | Kr. 35,31 |
| 20 - 48 | Kr. 15,785 | Kr. 31,57 |
| 50 - 98 | Kr. 14,325 | Kr. 28,65 |
| 100 + | Kr. 13,69 | Kr. 27,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-0154
- Producentens varenummer:
- CSD19502Q5BT
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 157A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 130nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 195W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 157A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype VSON | ||
Serie NexFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 130nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 195W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Relaterede links
- Texas Instruments N-Kanal 157 A 80 V VSON-CLIP, NexFET CSD19502Q5BT
- Texas Instruments P-Kanal 104 A 20 V VSON-CLIP, NexFET CSD25404Q3T
- Texas Instruments N-Kanal 204 A 40 V VSON-CLIP, NexFET CSD18502Q5B
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 25 V VSON-CLIP, NexFET CSD16321Q5
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 60 V VSON, NexFET CSD18563Q5AT
- Texas Instruments N-Kanal 14 A 30 V, VSON-CLIP CSD17308Q3T
- Texas Instruments N-Kanal 43 A 30 V VSCON-CLIPS, NexFET CSD17573Q5BT
- Texas Instruments N-Kanal 273 A 80 V TO-220, NexFET CSD19506KCS
