Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V, 8 ben, VSON, NexFET CSD18563Q5AT

Brand

Texas Instruments

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

100 A

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

VSON

Serie

NexFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

10,8 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.4V

Mindste tærskelspænding for port

1.7V

Effektafsættelse maks.

3,2 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Transistormateriale

Si

Bredde

5mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

15 nC ved 10 V

Længde

6.1mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.1mm