Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 60 A 25 V, 8 ben, SON, NexFET CSD16340Q3

Brand

Texas Instruments

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

60 A

Drain source spænding maks.

25 V

Serie

NexFET

Kapslingstype

SON

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

7,8 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

1.1V

Mindste tærskelspænding for port

0.6V

Effektafsættelse maks.

3 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-8 V, +10 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

6,5 pF ved 4,5 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

3.4mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

3.4mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.1mm