Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 47 A 30 V, 8 ben, SON, NexFET CSD17308Q3

Brand

Texas Instruments

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

47 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

SON

Serie

NexFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

16,5 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

1.8V

Mindste tærskelspænding for port

0.9V

Effektafsættelse maks.

2,7 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-8 V, +10 V

Bredde

3.4mm

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

3,9 nC ved 4,5 V

Længde

3.4mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.1mm