Texas Instruments Type P-Kanal, MOSFET, 104 A 20 V Forbedring, 8 Ben, VSON, NexFET Nej CSD25404Q3T
- RS-varenummer:
- 133-0156
- Producentens varenummer:
- CSD25404Q3T
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 60,59
(ekskl. moms)
Kr. 75,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | Kr. 12,118 | Kr. 60,59 |
| 15 - 45 | Kr. 9,694 | Kr. 48,47 |
| 50 - 245 | Kr. 8,498 | Kr. 42,49 |
| 250 - 495 | Kr. 7,39 | Kr. 36,95 |
| 500 + | Kr. 6,582 | Kr. 32,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-0156
- Producentens varenummer:
- CSD25404Q3T
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 104A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 104A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype VSON | ||
Serie NexFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Relaterede links
- Texas Instruments P-Kanal 104 A 20 V VSON-CLIP, NexFET CSD25404Q3T
- Texas Instruments N-Kanal 157 A 80 V VSON-CLIP, NexFET CSD19502Q5BT
- Texas Instruments N-Kanal 204 A 40 V VSON-CLIP, NexFET CSD18502Q5B
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 25 V VSON-CLIP, NexFET CSD16321Q5
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 60 V VSON, NexFET CSD18563Q5AT
- Texas Instruments N-Kanal 14 A 30 V, VSON-CLIP CSD17308Q3T
- Texas Instruments N-Kanal 43 A 30 V VSCON-CLIPS, NexFET CSD17573Q5BT
- Texas Instruments P-Kanal 20 A 20 V WSON, NexFET CSD25310Q2
