onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, NVD5C668NL AEC-Q101 NVD5C668NLT4G
- RS-varenummer:
- 141-7216
- Producentens varenummer:
- NVD5C668NLT4G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 81,31
(ekskl. moms)
Kr. 101,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- 14.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,262 | Kr. 81,31 |
| 50 - 95 | Kr. 14,018 | Kr. 70,09 |
| 100 - 495 | Kr. 12,148 | Kr. 60,74 |
| 500 - 995 | Kr. 10,682 | Kr. 53,41 |
| 1000 + | Kr. 9,724 | Kr. 48,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 141-7216
- Producentens varenummer:
- NVD5C668NLT4G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | NVD5C668NL | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 44W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie NVD5C668NL | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 44W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.7nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 49 A 60 V Forbedring TO-252, NVD5C668NL AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 49 A 60 V Forbedring DFN, NVMFD5C672NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 7 A 60 V Forbedring TO-252, NCV8406 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 38 A 60 V Forbedring TO-252, NVD5C684NL AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, NTD2955 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, NTD3055L104 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 49 A 60 V Forbedring DFN, NVMFD5C672NL AEC-Q101 NVMFD5C672NLT1G
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 49 A 60 V Forbedring DFN, NVMFD5C672NL AEC-Q101 NVMFD5C672NLWFT1G
