Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V, 3 ben, PICOSTAR, FemtoFET CSD17484F4T

Brand

Texas Instruments

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

3 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

PICOSTAR

Serie

FemtoFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

270 mΩ

Kanalform

Enhancement

Effektafsættelse maks.

500 mW

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-12 V, +12 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

0.64mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

1570 nC ved 0 V

Længde

1.04mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gennemgangsspænding for diode

0.9V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

0.2mm