Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, E Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 891,625

(ekskl. moms)

Kr. 1.114,525

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 475 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 35,665Kr. 891,63
50 - 100Kr. 34,952Kr. 873,80
125 +Kr. 33,169Kr. 829,23

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-2157
Producentens varenummer:
SIHG30N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

85nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

20.82mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.31 mm

Længde

15.87mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, E-serien, lavt Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor


E-serien Power MOSFET'er fra Vishay er højspændingstransistorer med meget lav maksimal modstand ved tændt, lav figure-of-merit og hurtigt skift. De findes i et bredt udvalg af mærkestrømme. Typiske anvendelser omfatter servere og strømforsyninger til telekommunikation, LED-belysning, flyback-konvertere, effektfaktorkorrektion (PFC) og switch-mode strømforsyninger (SMPS).

Funktioner


Lavt figure-of-Merit (FOM) RDS(on) x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Lav modstand ved tændt (RDS(on))

Meget lav portopladning (Qg)

Hurtigt skift

Færre skift og ledningstab

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links