onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, UniFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 291,40

(ekskl. moms)

Kr. 364,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 5,828Kr. 291,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-4517
Producentens varenummer:
FDP33N25
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

UniFET

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.094Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36.8nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Effektafsættelse maks. Pd

235W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.83 mm

Højde

9.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links