onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, UniFET Nej FDPF33N25T

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 96,12

(ekskl. moms)

Kr. 120,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 19,224Kr. 96,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4166
Producentens varenummer:
FDPF33N25T
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

UniFET

Emballagetype

TO-220F

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

94mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Effektafsættelse maks. Pd

37W

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.9 mm

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

16.07mm

Bilindustristandarder

Nej

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links