onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, UniFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 51,76

(ekskl. moms)

Kr. 64,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 10 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,352Kr. 51,76
50 - 95Kr. 8,916Kr. 44,58
100 - 495Kr. 7,734Kr. 38,67
500 - 995Kr. 6,806Kr. 34,03
1000 +Kr. 6,194Kr. 30,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:
806-3624
Producentens varenummer:
FDPF5N50T
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Serie

UniFET

Emballagetype

TO-220F

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

28W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.36mm

Bredde

4.9 mm

Højde

16.07mm

Bilindustristandarder

Nej

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links