onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, UniFET Nej FDPF5N50T
- RS-varenummer:
- 806-3624
- Producentens varenummer:
- FDPF5N50T
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,76
(ekskl. moms)
Kr. 64,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 15 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,352 | Kr. 51,76 |
| 50 - 95 | Kr. 8,916 | Kr. 44,58 |
| 100 - 495 | Kr. 7,734 | Kr. 38,67 |
| 500 - 995 | Kr. 6,806 | Kr. 34,03 |
| 1000 + | Kr. 6,194 | Kr. 30,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-3624
- Producentens varenummer:
- FDPF5N50T
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220F | |
| Serie | UniFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Højde | 16.07mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220F | ||
Serie UniFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Højde 16.07mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 4 3 ben UniFET FDPF5N50FT
- onsemi N-Kanal 4 3 ben UniFET FDPF5N50NZ
- onsemi N-Kanal 4 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF5N50UT
- onsemi N-Kanal 11 3 ben UniFET FDPF12N50FT
- onsemi N-Kanal 18 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF18N50
- onsemi N-Kanal 8 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF10N50UT
- onsemi N-Kanal 18 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF18N50T
- onsemi N-Kanal 11 3 ben UniFET FDPF12N50NZ
