onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, UniFET Nej FDPF5N50T

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 51,76

(ekskl. moms)

Kr. 64,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 15 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,352Kr. 51,76
50 - 95Kr. 8,916Kr. 44,58
100 - 495Kr. 7,734Kr. 38,67
500 - 995Kr. 6,806Kr. 34,03
1000 +Kr. 6,194Kr. 30,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:
806-3624
Producentens varenummer:
FDPF5N50T
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-220F

Serie

UniFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

28W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.9 mm

Højde

16.07mm

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links