onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- RS-varenummer:
- 806-3582
- Producentens varenummer:
- FDPF10N60NZ
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 806-3582
- Producentens varenummer:
- FDPF10N60NZ
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | UniFET | |
| Emballagetype | TO-220F | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 16.07mm | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie UniFET | ||
Emballagetype TO-220F | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 16.07mm | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 4.5 A 600 V Forbedring TO-220F, UniFET
- onsemi N-Kanal 4 3 ben UniFET FDPF5N60NZ
- onsemi Type N-Kanal 4.5 A 500 V Forbedring TO-220F, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 20 A 500 V Forbedring TO-220F, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-220F, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 33 A 250 V Forbedring TO-220F, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 11.5 A 500 V Forbedring TO-220F, UniFET
- onsemi N-Kanal 8 A 500 V TO-220F, UniFET FDPF10N50UT
