onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, UniFET Nej FDPF12N50NZ

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
739-4872
Producentens varenummer:
FDPF12N50NZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.5A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-220F

Serie

UniFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

520mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Portkildespænding maks.

±25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.9 mm

Højde

16.07mm

Længde

10.36mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links