Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 145-8721
- Producentens varenummer:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 46,10
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 385,15
(ekskl. moms)
Kr. 481,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 500 enhed(er) afsendes fra 06. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 7,703 | Kr. 385,15 | - |
| 100 + | Kr. 7,242 | Kr. 362,10 | Kr. 46,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8721
- Producentens varenummer:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 15.95mm | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 15.95mm | ||
Bredde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 43 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 45 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3