Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3 Nej
- RS-varenummer:
- 892-2318
- Producentens varenummer:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 68,14
(ekskl. moms)
Kr. 85,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 6,814 | Kr. 68,14 |
| 20 - 40 | Kr. 5,116 | Kr. 51,16 |
| 50 - 90 | Kr. 4,436 | Kr. 44,36 |
| 100 - 190 | Kr. 4,084 | Kr. 40,84 |
| 200 + | Kr. 3,74 | Kr. 37,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 892-2318
- Producentens varenummer:
- IPP180N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 43 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP180N10N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA093N06N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 58 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP126N10N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP037N08N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP042N03LGXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP048N04NGXKSA1
- Infineon N-Kanal 80 A 30 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP034N03LGXKSA1
