IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227 Nej IXFN80N50Q3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 3.550,08

(ekskl. moms)

Kr. 4.437,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 355,008Kr. 3.550,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-1760
Producentens varenummer:
IXFN80N50Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

200nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

780W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links