IXYS N-Kanal, MOSFET, 32 A 800 V, 3 ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3

RS-varenummer:: 168-4717
Producentens varenummer:: IXFX32N80Q3
Brand:: IXYS

IXYS N-Kanal, MOSFET, 32 A 800 V, 3 ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3

Pris pr. stk. Pr. stk. (i rør á 30)

Kr. 202,92

(ekskl. moms)

Kr. 253,65

(inkl. moms)

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 05-09-2025*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Per Tube**
30 +	Kr. 202,92	Kr. 6.087,60

RS-varenummer:: 168-4717
Producentens varenummer:: IXFX32N80Q3
Brand:: IXYS

IXFK32N80Q3, IXFX32N80Q3, HiperFET Power MOSFET, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	32 A
Drain source spænding maks.	800 V
Kapslingstype	PLUS247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	270 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	6V
Effektafsættelse maks.	1 kW
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-30 V, +30 V
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	5.21mm
Transistormateriale	Si
Længde	16.13mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	140 nC ved 10 V
Højde	21.34mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

IXYS N-Kanal, MOSFET, 32 A 800 V, 3 ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien