IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, ISOPLUS247 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 3.767,76

(ekskl. moms)

Kr. 4.709,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 125,592Kr. 3.767,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4707
Producentens varenummer:
IXFR15N100Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

ISOPLUS247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.2Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Effektafsættelse maks. Pd

400W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

64nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

21.34mm

Bredde

5.21 mm

Længde

16.13mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links