IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- RS-varenummer:
- 168-4702
- Producentens varenummer:
- IXFK32N100Q3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 7.182,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.977,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 287,28 | Kr. 7.182,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4702
- Producentens varenummer:
- IXFK32N100Q3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 32A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Emballagetype | TO-264 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 320mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 195nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25kW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 19.96mm | |
| Højde | 26.16mm | |
| Bredde | 5.13 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Emballagetype TO-264 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 320mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 195nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25kW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 19.96mm | ||
Højde 26.16mm | ||
Bredde 5.13 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien
IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav RDS (til) og QG (portopladning)
Lav egensikker portmodstand
Huse i industristandard
Lav pakkeselvinduktion
Høj effekttæthed
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 32 A 1 kV Forbedring TO-264 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 24 A 1 kV Forbedring TO-264 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-264 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 64 A 500 V Forbedring TO-264 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 18 A 1 kV Forbedring ISOPLUS247 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 32 A 1 kV Forbedring PLUS247 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 10 A 1 kV Forbedring ISOPLUS247 Q3-Class
- IXYS Type N-Kanal 28 A 1 kV Forbedring SOT-227 Q3-Class