IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-264 Nej IXFK32N100Q3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 324,59

(ekskl. moms)

Kr. 405,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 324,59
5 - 9Kr. 276,31
10 - 24Kr. 264,27
25 - 74Kr. 254,77
75 +Kr. 249,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1409
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-348
Producentens varenummer:
IXFK32N100Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

32A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

TO-264

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

320mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

195nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.25kW

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

19.96mm

Højde

26.16mm

Bredde

5.13 mm

Standarder/godkendelser

No

Distrelec Product Id

30253348

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links