IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 500 V Forbedring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 203,01

(ekskl. moms)

Kr. 253,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 300 enhed(er) afsendes fra 30. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 203,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1452
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-398
Producentens varenummer:
IXFR64N50Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

ISOPLUS247

Serie

HiperFET, Q3-Class

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

94mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

145nC

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

16.13mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

21.34mm

Bredde

5.21 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links