IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Forbedring, 4 Ben, TO-220, HiperFET Nej
- RS-varenummer:
- 146-4366
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-388
- Producentens varenummer:
- IXFP80N25X3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 61,08
(ekskl. moms)
Kr. 76,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 61,08 |
| 5 - 9 | Kr. 59,98 |
| 10 - 14 | Kr. 58,09 |
| 15 - 24 | Kr. 57,48 |
| 25 + | Kr. 56,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4366
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-388
- Producentens varenummer:
- IXFP80N25X3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | HiperFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 390W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Højde | 16mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie HiperFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 390W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.66mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Højde 16mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), en global producent af halvledere og integrerede kredsløb (IC) for energieffektivitet, strømstyring, transport, medicinsk udstyr og motorstyring, har udgivet en ny halvlederproduktlinje: 250 V Ultra-Junction X3-klasse HiPerFET™ Power MOSFET'er. Med modstande og gate-opladninger så lave som 4,5 milliohm og 21 nanocoulombs muliggør disse enheder højeste effekttæthed og energieffektivitet i et stort udvalg af højhastighedsstrømkonverteringer. De nye MOSFET'er er udviklet med et opladningskompensationsprincip og egenudviklet procesteknologi og giver førsteklasses figure-of-merit (modstand gange gate-opladning), som kan omsættes til laveste ledeevne og koblingstab. De udviser de laveste modstande i ledetilstand i branchen (for eksempel 5 milliohm i TO-264-huset og 4,5 milliohm i SOT-227). De hurtige indbyggede husdioder HiPerFETs™ på MOSFET'erne har meget bløde genoprettelseskarakteristikker, minimerer spændingsoversving og elektromagnetisk interferens (EMI), især i half- eller full-bridge-topologier. Med lav omvendt genoprettelsesstrøm og -tid er dioderne i stand til at fjerne al resterende energi under højhastighedskobling for at undgå enhedsfejl og opnå høj effektivitet. Derudover er disse nye enheder lavinekompatible og har også en fremragende dv/dt-ydeevne. De er robuste i forhold til enhedsfejl, der skyldes spændingsspidser og utilsigtet tænding af sekundære bipolære transistorer i MOSFET-strukturen. Disse robuste enheder kræver færre snubbere og kan bruges i både hårde og bløde koblingsstrømkonvertere. Velegnede anvendelser omfatter batteriladere til lette elektriske køretøjer (LEV'er), synkron ensretning i koblingsstrømforsyninger, motorstyring, DC-DC-konvertere, nødstrømsforsyninger, elektriske gaffeltrucks, audioforstærkere i klasse D og telekommunikationssystemer. De nye 250 V X3-Class Power MOSFET'er med HiPerFET™ husdioder fås i følgende internationale standardstørrelseshuse: TO-3P, TO-220 (overstøbte eller standard), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227. Nogle eksempler på varenumre omfatter IXFA60N25X3, IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV og IXFK240N25X3, med mærkestrømme på 60 A, 80 A, 170 A og 240 A.
Laveste modstand ved RDS(ON) og gate-opladning Qg
Hurtig blød genoprettelseshusdiode dv/dt-robusthed
Fremragende lavinekapacitet
Internationale standardhuse
Batteriladere til lette elektriske køretøjer
Synkron ensretning i koblingsstrømforsyninger
Motorstyring
Dc-dc konvertere
Nødstrømsforsyninger (UPS)
Elektriske gaffeltrucks
Audioforstærkere i klasse D
Telekommunikationssystemer
Høj effektivitet
Høj effekttæthed
Forbedret systempålidelighed
Brugervenligt design
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-220, HiperFET Nej IXFP80N25X3
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-263, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-263, HiperFET Nej IXFA80N25X3
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej IXFH80N25X3
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej IXFH80N65X2
- IXYS N-Kanal 10 A 800 V TO-220 Polar IXFP10N80P
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 132 A 250 V Forbedring SMPD HiperFET MMIX1F180N25T
