Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 272 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, NexFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 50 enheder)*

Kr. 1.553,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.941,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 500 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
50 - 50Kr. 31,06Kr. 1.553,00
100 - 200Kr. 29,818Kr. 1.490,90
250 +Kr. 28,886Kr. 1.444,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
162-9739
Producentens varenummer:
CSD19536KTTT
Brand:
Texas Instruments
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Texas Instruments

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

272A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

NexFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

N-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-transistorer, Texas Instruments


Relaterede links