Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 272 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, NexFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 50 enheder)*

Kr. 1.553,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.941,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
50 - 50Kr. 31,06Kr. 1.553,00
100 - 200Kr. 29,818Kr. 1.490,90
250 +Kr. 28,886Kr. 1.444,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
162-9739
Producentens varenummer:
CSD19536KTTT
Brand:
Texas Instruments
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Texas Instruments

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

272A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

NexFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

N-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-transistorer, Texas Instruments


Relaterede links