onsemi N-Kanal, MOSFET, 8 A 30 V, 8 ben, ECH ECH8663R-TL-H

Brand

onsemi

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

8 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

ECH

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

28 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

1.3V

Effektafsættelse maks.

1,4 W

Transistorkonfiguration

Fælles skærm

Gate source spænding maks.

-12 V, +12 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

12,3 nC ved 4,5 V

Længde

2.9mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

2

Bredde

2.3mm

Højde

0.9mm