onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, ECH, ECH8310
- RS-varenummer:
- 791-9421
- Producentens varenummer:
- ECH8310-TL-H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 54,16
(ekskl. moms)
Kr. 67,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,416 | Kr. 54,16 |
| 100 - 240 | Kr. 4,668 | Kr. 46,68 |
| 250 - 490 | Kr. 4,047 | Kr. 40,47 |
| 500 - 990 | Kr. 3,553 | Kr. 35,53 |
| 1000 + | Kr. 3,231 | Kr. 32,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-9421
- Producentens varenummer:
- ECH8310-TL-H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | ECH8310 | |
| Emballagetype | ECH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bredde | 2.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie ECH8310 | ||
Emballagetype ECH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bredde 2.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal Power MOSFET, 30 V til 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 9 A 30 V Forbedring ECH, ECH8310 Nej
- onsemi P-Kanal 7 8 ben, ECH ECH8315-TL-H
- onsemi 2 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, ECH Nej ECH8661-TL-H
- onsemi 2 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, ECH Nej
- onsemi N-Kanal 8 A 30 V ECH ECH8663R-TL-H
- onsemi P-Kanal 1 6 ben, SCH SCH1330-TL-H
- onsemi P-Kanal 100 mA 30 V SC-70 3LP01M-TL-H
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 1 2 A 20 V MCPH MCH6660-TL-H
