Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF1010EZPBF

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 361,05

(ekskl. moms)

Kr. 451,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 950 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 7,221Kr. 361,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5778
Producentens varenummer:
IRF1010EZPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.83 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

16.51mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links