Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF1010EZPBF

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 361,05

(ekskl. moms)

Kr. 451,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 7,221Kr. 361,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5778
Producentens varenummer:
IRF1010EZPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.83 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

16.51mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links