Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 831-2783
- Producentens varenummer:
- IRF1010EZPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 72,24
(ekskl. moms)
Kr. 90,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 150 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
- Plus 990 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 7,224 | Kr. 72,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 831-2783
- Producentens varenummer:
- IRF1010EZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 84A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Højde | 16.51mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 84A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Højde 16.51mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRF1010EZPBF
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRF1010EPBF
- Infineon N-Kanal 60 A 60 V HEXFET IRF60B217
- Infineon N-Kanal 173 A 60 V HEXFET IRFB7537PBF
- Infineon N-Kanal 48 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFZ44EPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3306PBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3306GPBF
- Infineon N-Kanal 270 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3006PBF
