Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5802
Producentens varenummer:: IRFI4110GPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 72 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.081,60

(ekskl. moms)

Kr. 1.352,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 21,632	Kr. 1.081,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5802
Producentens varenummer:: IRFI4110GPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	72A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	4.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	190nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	61W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	16.13mm
	Længde	10.75mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 72A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 61W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 16.13mm
	Længde 10.75mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 72A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 61W maksimal effektafledning - IRFI4110GPBF

Denne n-kanals MOSFET er designet til højtydende applikationer, der giver effektiv strømhåndtering og høj spændingstolerance. Det er vigtigt i forskellige elektroniske enheder og sikrer robust drift i udfordrende miljøer. Dens ydeevne inden for power switching og termisk styring gør den til en foretrukken komponent inden for automatisering, elektronik og mekanik.

Egenskaber og fordele

• Kontinuerlig kapacitet for afløbsstrøm på 72A

• Lav Rds(on)-modstand for forbedret driftseffektivitet

• Forbedringstilstand for effektiv performance

• Maksimal drain-source-spænding på 100 V

• Fremragende varmestyring op til +175 °C

• Forbedret lavinerobusthed for øget pålidelighed

Anvendelsesområder

• Velegnet til højeffektiv synkron ensretning

• Ideel til uafbrydelige strømforsyningssystemer

• Kompatibel med højhastighedsstrømskifte

• Anvendes i hard-switched og højfrekvente kredsløb

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm til din applikation?

Den kontinuerlige afløbsstrøm er på 72 A under optimale forhold, hvilket gør den velegnet til krævende anvendelser.

Hvad er betydningen af gate-tærskelspændingen?

Gate-tærskelspændingen varierer fra 2V til 4V, hvilket giver mulighed for præcis styring af koblingsegenskaberne.

Hvordan styrer MOSFET'en den termiske ydeevne?

Den har en maksimal driftstemperatur på +175 °C, hvilket understøtter holdbarheden i miljøer med høje temperaturer.

Hvilke fordele giver lav Rds(on) i forhold til enhedens ydeevne?

Lav Rds(on) reducerer strømtab under skift, hvilket fører til forbedret samlet effektivitet.

Kan dette produkt håndtere højfrekvente kredsløb?

Ja, den er specielt designet til hard-switchede og højfrekvente applikationer, hvilket sikrer en ensartet ydelse.