Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.2 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, HEXFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.856,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.570,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,952Kr. 2.856,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5807
Producentens varenummer:
IRFTS8342TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.2A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TSOP

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3mm

Højde

1.3mm

Bredde

1.75 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links