Infineon N-Kanal, MOSFET, 900 mA 150 V, 6 Ben, TSOP-6, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9289
- Producentens varenummer:
- IRF5802TRPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 6000 flere for at gemme Kr. 372,00
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.723,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.653,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,241 | Kr. 3.723,00 | - |
| 6000 + | Kr. 1,179 | Kr. 3.537,00 | Kr. 372,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9289
- Producentens varenummer:
- IRF5802TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 900mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 900mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er, der benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere en bred portefølje af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningskontakter samt batteridrevne anvendelser.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 900 mA 150 V TSOP-6, HEXFET
- Infineon N-Kanal -3.4 A -40 V TSOP-6, HEXFET
- Infineon N-Kanal 8.3 A 30 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 600 mA 200 V Forbedring TSOP, HEXFET
- Infineon N-Kanal 8.2 A 30 V Forbedring TSOP, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring TSOP, HEXFET
- Infineon N-Kanal 85 A 150 V HEXFET
- Infineon N-Kanal -13 A -150 V HEXFET