Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.9 A 150 V, 6 Ben, TSOP-6, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.917,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.397,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,639Kr. 1.917,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
257-9289
Producentens varenummer:
IRF5802TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.9A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TSOP-6

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRF-serien er IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er, der benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere en bred portefølje af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningskontakter samt batteridrevne anvendelser.

Planarcellestruktur til bred SOA

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Effekthus til overflademontering i industristandard

Relaterede links