Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.9 A 150 V, 6 Ben, TSOP-6, HEXFET Nej IRF5802TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9290
- Producentens varenummer:
- IRF5802TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 21,42
(ekskl. moms)
Kr. 26,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,142 | Kr. 21,42 |
| 100 - 240 | Kr. 2,042 | Kr. 20,42 |
| 250 - 490 | Kr. 1,818 | Kr. 18,18 |
| 500 - 990 | Kr. 1,586 | Kr. 15,86 |
| 1000 + | Kr. 0,965 | Kr. 9,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9290
- Producentens varenummer:
- IRF5802TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er, der benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere en bred portefølje af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningskontakter samt batteridrevne anvendelser.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 900 mA 150 V HEXFET IRF5802TRPBF
- Infineon N-Kanal 600 mA 200 V TSOP-6, HEXFET IRF5801TRPBF
- Infineon N-Kanal 8 TSOP-6, HEXFET IRLTS6342TRPBF
- Infineon N-Kanal 3 TSOP-6, HEXFET IRF5803TRPBF
- Infineon PG-TO247, HEXFET IRF150P220AKMA1
- Infineon N-Kanal 8 6 ben HEXFET IRFTS8342TRPBF
- Infineon N-Kanal 27 A 150 V HEXFET IRFH5215TRPBF
- Infineon N-Kanal 13 A 150 V HEXFET IRFR6215TRPBF
