Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Forbedring, 6 Ben, Micro6, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-5840
- Producentens varenummer:
- IRLMS2002TRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-5840
- Producentens varenummer:
- IRLMS2002TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | Micro6 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype Micro6 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 6,5 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2 W maksimal effektafledning - IRLMS2002TRPBF
Denne N-kanal-MOSFET er designet til effektiv ydelse i batteristyrings- og belastningsstyringsapplikationer. Dens evne til at give lav tændingsmodstand sammen med modstandsdygtighed over for høje temperaturer bidrager til effektiv drift i forskellige elektroniske systemer. Med de nyeste behandlingsteknikker er dette produkt ideelt til fagfolk inden for automatisering, elektronik og elektriske sektorer.
Egenskaber og fordele
• Overflademonteret design minimerer brugen af PCB-plads
• Lav on-modstand forbedrer strømeffektiviteten
• Kontinuerlig drænstrømskapacitet på op til 6,5A
• Understøtter ±12V gate-to-source-spænding for fleksibel styring
• Effektiv termisk ydeevne reducerer varmeudvikling
Anvendelsesområder
• Batteristyring for optimal energidistribution
• Belastningsstyring i forskellige elektroniske enheder
• Biler der kræver robust effekthåndtering
• Højeffektive strømforsyningssystemer
• Vedvarende energisystemer til energiregulering
Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm ved høje temperaturer?
Ved en temperatur på 70 °C kan der opnås en kontinuerlig drænstrøm på 5,2 A, samtidig med at stabiliteten opretholdes under de angivne forhold.
Hvad er den termiske modstand for effektiv ydelse?
Den maksimale termiske modstand mellem forbindelsen og omgivelserne er 62,5 °C/W, hvilket sikrer effektiv varmeafledning under drift.
Hvordan sikrer jeg optimal ydeevne under installationen?
Korrekt varmestyring og omhyggelig overvejelse af PCB-layout er afgørende for optimal ydeevne, hvilket giver mulighed for effektiv varmeafledning og pålidelighed.
Hvilken spænding kan man anvende uden at risikere sammenbrud?
Den maksimale drain-source-spænding er 20V, hvilket fungerer som en kritisk tærskel for at forhindre unødvendig nedbrydning under drift.
Er der en specifik termisk nedtrapningsfaktor, man skal overveje?
Ja, den lineære derating-faktor er 0,016 W/°C, hvilket betyder, at effektafgivelsen skal justeres baseret på omgivelsestemperaturen for at opretholde pålideligheden.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 20 V Forbedring Micro6, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.2 A 30 V Forbedring Micro6, HEXFET
- Infineon 2 Type P MOSFET 8 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 30 V HEXFET
- Infineon 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 2.4 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
