Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 7 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-7468
- Producentens varenummer:
- IRFHS9301TRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-7468
- Producentens varenummer:
- IRFHS9301TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.95mm | |
| Bredde | 2.1 mm | |
| Længde | 2.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.95mm | ||
Bredde 2.1 mm | ||
Længde 2.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
P-kanal MOSFET 30V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 6 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 7.2 A 20 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -21 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring PQFN, HEXFET
