Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 217-2614
- Producentens varenummer:
- IRFH8334TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 5.104,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.380,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | Kr. 1,276 | Kr. 5.104,00 |
| 8000 + | Kr. 1,212 | Kr. 4.848,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2614
- Producentens varenummer:
- IRFH8334TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.2W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.17mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.98 mm | |
| Længde | 6.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.2W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.17mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.98 mm | ||
Længde 6.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 30 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i 5 mm X 6 mm PQFN hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Optimeret til 5 V gate-drive spænding (kaldet logikniveau)
Industristandard overflademonteret strømpakke
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH8334TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH5015TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH8325TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH8311TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
