Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 79,36

(ekskl. moms)

Kr. 99,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.860 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,936Kr. 79,36
100 - 240Kr. 7,54Kr. 75,40
250 - 490Kr. 7,218Kr. 72,18
500 - 990Kr. 6,904Kr. 69,04
1000 +Kr. 6,425Kr. 64,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7484
Producentens varenummer:
IRFH5300TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET og Diode

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

50nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6mm

Bredde

4.75 mm

Højde

0.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRFH5300 er stærk MOSFET-serie, der er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Logikniveau: Optimeret til 5 V gate drivspænding

Relaterede links