Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 220-7484
- Producentens varenummer:
- IRFH5300TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 85,42
(ekskl. moms)
Kr. 106,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,542 | Kr. 85,42 |
| 100 - 240 | Kr. 8,123 | Kr. 81,23 |
| 250 - 490 | Kr. 7,772 | Kr. 77,72 |
| 500 - 990 | Kr. 7,435 | Kr. 74,35 |
| 1000 + | Kr. 6,919 | Kr. 69,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7484
- Producentens varenummer:
- IRFH5300TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFH5300 er stærk MOSFET-serie, der er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Logikniveau: Optimeret til 5 V gate drivspænding
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 25 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET