Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4746
- Producentens varenummer:
- IRFH8311TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 11.204,00
(ekskl. moms)
Kr. 14.004,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 2,801 | Kr. 11.204,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4746
- Producentens varenummer:
- IRFH8311TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.15mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.17mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.15mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.17mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Lav RDSON (<1,15 mΩ)
Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)
100 % RG testet
Lavprofil (<0,9 mm)