Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 11.020,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.776,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 2,755Kr. 11.020,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4746
Producentens varenummer:
IRFH8311TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.15 mm

Højde

1.17mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Lav RDSON (<1,15 mΩ)

Lav termisk modstand til print (<0,8 °C/W)

100 % RG testet

Lavprofil (<0,9 mm)

Relaterede links