Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 80 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET

RS-varenummer:: 217-2640
Producentens varenummer:: IRL80HS120
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 12.5 A 80 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 141,08

(ekskl. moms)

Kr. 176,36

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.820 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 7,054	Kr. 141,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 217-2640
Producentens varenummer:: IRL80HS120
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12.5A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	PQFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	42mΩ
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	7nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	11.5W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	1mm
	Højde	2.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	2.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie HEXFET
	Emballagetype PQFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 42mΩ
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 11.5W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 1mm
	Højde 2.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 2.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IRL80HS120

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 12,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRL80HS120

Denne MOSFET er en kompakt N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser, hvor der kræves kontrolleret ledning og termisk modstandsdygtighed. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til brug i kompakte PQFN-huse, der balancerer strømhåndtering med et lille bundareal.

Egenskaber og fordele:

• 80 V maksimal drain-source-spænding muliggør højspændingskontaktfunktion
• 42 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under tunge belastninger
• 12,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 7 nC typisk gate-ladning muliggør effektiv gate-drive-styring
• 11,5 W maks. effekttab håndterer termisk stress i trange layouts
• 20 V gate-source-grænse tillader almindelige gate-drivspændinger sikkert

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere i kompakte strømforsyninger
• Ideel til motordriverstrin, der kræver højspænding
• Anvendes til batteristyringskredsløb i design med høj effekttæthed
• Kan bruges til synkron ensretning i strømskinner
• Anvendes med termisk krævende systemer på tværs af brede temperatursvingninger

Hvilket termisk område kan den fungere inden for?

Den fungerer fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med høje temperaturer.

Hvor mange ben er tilgængelige til printkortrouting?

Den leveres i et seksbenet PQFN-layout for at forenkle overflademonteret routing.

Hvad er den fremadgående spænding og dens konsekvenser?

Den fremadrettede spænding er 1,2 V, hvilket informerer om tabs- og faldberegninger i ledningsbaner.

Hvilken pakke og monteringstype skal designere forvente?

Enheden leveres i en PQFN-pakke, der er beregnet til overflademontering på kompakte printkort.

Hvilken kanaltype og koblingsrolle opfylder den?

Det er en N-kanalenhed, der er velegnet til switchingtopologier på lav side eller høj side afhængigt af kredsløbskravene.