Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5804
- Producentens varenummer:
- IRFH7084TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 30,82
(ekskl. moms)
Kr. 38,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.430 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 6,164 | Kr. 30,82 |
| 25 - 45 | Kr. 5,998 | Kr. 29,99 |
| 50 - 120 | Kr. 5,834 | Kr. 29,17 |
| 125 - 245 | Kr. 5,684 | Kr. 28,42 |
| 250 + | Kr. 5,55 | Kr. 27,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5804
- Producentens varenummer:
- IRFH7084TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 265A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.25mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 127nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 265A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.25mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 127nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 159 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 117 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 259 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET