Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 30,82

(ekskl. moms)

Kr. 38,525

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.435 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 6,164Kr. 30,82
25 - 45Kr. 5,998Kr. 29,99
50 - 120Kr. 5,834Kr. 29,17
125 - 245Kr. 5,684Kr. 28,42
250 +Kr. 5,55Kr. 27,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-5804
Producentens varenummer:
IRFH7084TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

265A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

HEXFET

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

1.25mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

127nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5 mm

Længde

6mm

Højde

1.05mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Effekthus til overflademontering i industristandard

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links