Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9446
- Producentens varenummer:
- IRLHS6376TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 4.720,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.920,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 1,18 | Kr. 4.720,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9446
- Producentens varenummer:
- IRLHS6376TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.9W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.9W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRLHS-serien er 30 V dobbelt N-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 2x2-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Effekthus til overflademontering i industristandard
Lav RDS (on) i et lille hus
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -5.1 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 280 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET
