Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5887
- Producentens varenummer:
- IRFH5301TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 26,18
(ekskl. moms)
Kr. 32,725
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.640 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 5,236 | Kr. 26,18 |
| 50 - 120 | Kr. 4,668 | Kr. 23,34 |
| 125 - 245 | Kr. 4,414 | Kr. 22,07 |
| 250 - 495 | Kr. 3,322 | Kr. 16,61 |
| 500 + | Kr. 3,232 | Kr. 16,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5887
- Producentens varenummer:
- IRFH5301TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.85mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.85mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 280 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -5.1 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET