Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 26,18

(ekskl. moms)

Kr. 32,725

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.640 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 5,236Kr. 26,18
50 - 120Kr. 4,668Kr. 23,34
125 - 245Kr. 4,414Kr. 22,07
250 - 495Kr. 3,322Kr. 16,61
500 +Kr. 3,232Kr. 16,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-5887
Producentens varenummer:
IRFH5301TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.85mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6mm

Højde

0.9mm

Bredde

5 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Effekthus til overflademontering i industristandard

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links