Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5887
- Producentens varenummer:
- IRFH5301TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 78,54
(ekskl. moms)
Kr. 98,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.630 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,708 | Kr. 78,54 |
| 50 - 120 | Kr. 14,002 | Kr. 70,01 |
| 125 - 245 | Kr. 13,224 | Kr. 66,12 |
| 250 - 495 | Kr. 9,948 | Kr. 49,74 |
| 500 + | Kr. 9,694 | Kr. 48,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5887
- Producentens varenummer:
- IRFH5301TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.85mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 900μm | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.85mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 900μm | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 280 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET